蜂窝无线电《
5G从根本上改变了蜂窝无线电的格局. GF毫米波和6 GHz以下的SOI解决方案旨在处理性能, Power, 5G给蜂窝前端模块(fem)带来的区域和复杂性挑战.
GF 5G蜂窝无线电解决方案
卓越的表现和最高水平的整合 & 高达20 dBm P坐 (与电源合成器)用于高端5G毫米波智能手机
卓越的数字性能 & 射频增强，提供30%更好的IL和RonM*C从†为高端5G mmWave智能手机
性能优越，P值高坐 (高达23 dBm)用于高端5G毫米波智能手机
出色的入场表现 & 中端4G LTE和5G 6 GHz以下的智能手机、智能手表 & 其他联网移动设备
优异表现 & 6 GHz以下的高端5G智能手机
使用45 rfsoi的5G毫米波蜂窝有限元
45 rfsoi结合了高传输功率能力，业界领先的毫米波性能和可靠性，用于波束形成器和可积低噪声放大器(恢复), 功率放大器(PAs)和开关在5G毫米波蜂窝前端模块(FEM)的应用.
到目前为止，45 rfsoi设计赢得了超过10亿美元的奖金.*
业界唯一一家具有毫米波测试能力的铸造公司, 是建立在RF二十年的领导地位之上的 & 专业知识.
基于45rfsoi的PAs提供了高功率增益和效率，最高可达23 dBm P坐 at > 40% PAE‡-延长电池寿命，并提供长达10年的可靠性运行.
45RSOI可以将多个射频元素集成到具有卓越传输功率的毫米波有限元中，或开发使用更少芯片的波束形成器, 更具成本效益的数组.
45 rfsoi提供了优化的BEOL和高电阻基板，结合了器件堆叠和低Ron 在毫米波频率上的高质量连接的优势.
特色资源
*适用于流动及无线基础设施应用.
‡(26 GHz)
集成5G毫米波蜂窝有限元 & 使用22至于®RF和22至于®RF+的TRXs
22至于®RF和22至于®RF+可以集成低噪声放大器(恢复), 功率放大器(PAs)和收发器(TRX)开关. 设计人员可以利用高度集成或单芯片毫米波无线电架构，为5G毫米波移动设备集成关键射频元素，并提供卓越的射频性能和功率效率，他们的应用需求, 在一个流线型的足迹，可以帮助减少系统的材料成本账单.
前三名的5G毫米波FEM设计公司中有两家采用了22至于®RF设计.*
22至于®射频 & 22至于®RF+是业界唯一的解决方案，在单片5G毫米波有限元SoC中实现世界级的功率和性能优势.
22至于®RF+通过提供30%更好的Ron*C从 和插入损耗性能，使更强，更可靠的连接.†
22至于®RF和RF+提供高达40%的逻辑缩放优势‡ 是业界唯一的解决方案，可使完全集成的5G毫米波soc具有一流的性能和功率优势, 因此，您可以利用节省的空间来添加其他高级特性.
22至于®RF和RF+支持高达10%的电池寿命延长‡ 与PAs的结合，提供性能，功率和热效率的优势.
22至于®RF和RF+提供噪声数字和开关插入损失的好处，有助于提高信号质量和扩展信号达到6%，减少掉的连接和更好的声音呼叫.◊
*当前的评估基于设计赢管道.
‡与gf28nm大块CMOS相比较. 优点因芯片/系统设计而异.
†与22至于®RF相比.
假定为28 GHz频带，TX和RX天线增益为20 dB，视距通信. 优点因芯片/系统设计而异.
使用8 sw RF SOI的5G 6 GHz以下蜂窝有限元
8SW是GF RF产品组合中最先进的RF SOI解决方案. 利用其高线性度和增益, 低噪声数字和业界领先的开关和低噪声放大器(LNA)特性，在高端和高端5G 6 GHz以下的移动前端模块(FEMs)中具有卓越的性能.
排名前三的5G -6 GHz FEM设计公司都在使用GF 8SW.*
8SW是业界第一个全合格的高容量RF - SOI 300毫米晶圆铸造解决方案.
8SW通过将低插入损耗和高射频电压/功率处理能力与世界级的NF和R相结合，帮助支持任何地方的高性能连接on*C从 指标.
8 sw出众的Ron*C从 性能和1.8 V/1.2v标准电池库有助于延长电池充电之间所需的时间.
获得高, 厚的顶级金属和全铜互连, 8SW是优化的，以最大限度地提高信号强度，以获得更高质量的连接.
*基于收益TAM.
5 g增速低于GHz & 使用7 sw RF SOI的4G LTE蜂窝FEMs
7SW RF - SOI是GF RF - SOI产品组合中的一个成熟的解决方案，并在多个领域获得认证, 全球分布的晶圆厂，确保供应无忧. 它是优化的5G sub- 6ghz和4G LTE FEM开关和低噪声放大器(LNA)的应用. 数以亿计的芯片已经交付给行业领先的FEM IC公司, 7SW为入门级和中端智能手机提供了出色的性能, 智能手表和其他联网移动设备.
7SW提供了优秀的线性结合选项，允许设计师做出关键的Ron*C从 vs. 功率处理的权衡以满足设计性能目标.
具有lna优化的晶体管和双氧化物和陷阱丰富的衬底选项, 7SW提供LNA性能和噪声抑制的好处，最大限度地减少断开和扩大接收范围.
具有低泄漏逻辑库和高Vt 最大限度降低待机功耗的场效应晶体管, 7SW旨在帮助您最大限度地利用每次电池充电.
AMOLED显示驱动芯片采用28HV、40HV和55HV解决方案
GF是高端显示驱动领域的行业领导者, 可以满足您的设计需求的高压AMOLED解决方案，跨越28至55 nm的高压技术平台. 该产品组合由一套内部和第三方知识产权(IP)补充，为触摸屏控制器的显示驱动器优化，旨在帮助您加快上市时间.
GF是目前生产28纳米AMOLED DDIC解决方案的唯一厂家.
GF has already shipped > 150K DDIC wafers.‡
业界最小的28 nm SRAM bitcell (0.12 µm2).
门限优先的MV/ hv友好布局(8v / 20- 25v)消除了门限长度的限制，简化了设计，同时高k金属门限平台提供电力, 性能和区域优势.
GF的28HV、40HV和55HV解决方案已经在量产，而且产量很高.
‡结合28和55 nm HV装运.
音频放大器使用55、130和180 nm BCDLite®溶液
GF的音放解决方案组合旨在提供卓越的音质在电力和区域高效的产品. 十大老品牌网赌大全在全球分布的晶圆厂的大批量生产能力，有助于确保您可以更快地将硬件推向市场, 在数量上，你需要满足客户的需求.
前7家智能手机公司中有5家使用GF音频放大器解决方案.*
广发公司已售出超过30亿台高端音箱.
GF 55提供的先进功率监控, 130和180纳米BCDLite音频放大器解决方案，使优越的音频播放，同时也保护设备扬声器.
十大老品牌网赌大全的BCDLite音频放大器解决方案采用集成电感, eNVM用于代码存储和高密度逻辑，使您可以集成dsp, 实现更小的解决方案，节省宝贵的板面积.
利用最佳RDSon & BVDSS 为切换噪音，损耗和电力效益设计提供更好的听力体验.
电源管理ic采用55nm、130 nm和180nm BCDLite®解决方案
GF组合的BCDLite电源管理解决方案的节点范围从55 nm到180 nm，并为电池进行了优化, 单轨, 音频和触觉电源管理单元(PMU)在移动设备中的应用. 该解决方案使设计人员能够高效开发, 低漏电电源管理ic (pics)，可以延长电池运行时间，同时将高达50%的数字内容集成到更小的形式因素.
全球分布的晶圆厂的高产量GF制造能力有助于确保客户能够更快地将他们的硬件推向市场，并满足需求的数量.
GF与PMIC供应商合作，为前三名最受欢迎的智能手机中的两家设计下一代先进产品，使用GF BCDLite电源管理解决方案.
额定电压范围从5伏特到100伏特, GF BCDLite解决方案使芯片设计师能够找到准确的适合优化PMU块的电池管理, audio, 系统CPU, 触觉, 智能手机中的传感器或单轨应用, 聪明的手表, 听得见的,更.
拥有丰富的IP库和250多个设计元素可供选择, 包括电力场效应晶体管, 电容器, 双极型设备, 集成电感器和多个存储选项的安全代码/密钥存储, GF BCDLite解决方案使设计师能够优化他们的硬件.
通过提供一流的RDSON & BVDSS, GF BCDLite解决方案使设计师能够开发设计，优化足迹输出功率比.
成像和3D传感
随着5G的普及, 更可靠的, 响应性连接正在推动移动图像的创新——内容如何捕捉和创建——为用户体验添加了一个令人惊叹的因素. 3D传感和超光谱传感器, 8 k的决议, 更高的帧率和新的压缩格式只是一些行业远见者正在探索的突破，以使这些更引人注目, 沉浸式生活体验.
图像传感器供应商从行业前十正在利用
用于图像传感器叠加的GF逻辑解决方案.
GlobalFoundries® (GF®)正在为行业领导者提供先进的节点逻辑解决方案，用于与CMOS图像传感器进行叠加. 这些逻辑模是CMOS图像传感器和手机应用处理器之间的接口. 十大老品牌网赌大全的这些解决方案的大批量生产为十大老品牌网赌大全的客户提供了可以依赖的硬件供应保证, 在他们需要的数量上.
十大老品牌网赌大全的逻辑解决方案可以实现更高分辨率的图像，更清晰和更快的自动对焦, 即使在昏暗的光线下, 因此，消费者可以享受到更高层次的细节和清晰度. 这些先进的设计是为了帮助提供比现实生活更好的视觉体验, 深色偏暗, 更有活力的颜色和锐利的边缘，以帮助家庭, 朋友和同事之间的联系更加紧密, 即使相隔几英里——或者几大洲.
随着用户对高端移动成像体验的期望不断提高，对创新的需求也在不断增长, GF将目光投向了光学成像之外. 十大老品牌网赌大全的未来路线图包括为增强现实和传感应用优化的激光雷达3d映射解决方案，增强可见光谱以外的成像. 这些解决方案采用了新的传感设备, 包括基于单光子雪崩二极管(SPAD)的飞行时间传感器用于3D深度传感，以及用于近红外和短波红外传感器的光电二极管.
无线网络
无线网络 - 5为消费者提供了真正的有线补充, 帮助解决对更快速度的无情需求，并使用户愉快的体验，如无缓冲, 高清视频. 无线网络 - 6和6E准备将这些进步带到新的水平, 通过为日益拥挤的室内网络提供超高速性能，补充了5G给室外网络带来的优势. 无线网络的下一步发展将提供更低的延迟, 更长的电池寿命和更高的数据吞吐量，甚至更好的用户体验——这些好处随着无线网络 - 7在本世纪末的推出而得到了极大的提升，这使得选择正确的半导体解决方案变得更加关键.
wi - fi《
wi - fi 6, 6E和7的推出将提供更快的速度, 无忧的无线接入和增强的用户体验, 但是这些好处伴随着越来越严格的FEM性能规范而来, 特别是那些与非线性有关的. 满足——并超越——这些要求意味着做出正确的半导体选择. GlobalFoundries® (GF®)为您提供差异化的无线网络解决方案.
- 使用130RFSOI集成wi - fi《和性能优化的PA
- 无线网络 - FEM交换机，恢复和PAs使用8SW和SiGe PA解决方案
- 使用22至于®RF和22至于®RF集成无线网络 FEM soc
- 集成无线网络 - FEM soc使用12LP射频
移动设备的无线网络速度
will triple by 2023, to > 90 Mbps *
在密集环境下，无线网络 - 6将提高每用户4倍的吞吐量*
* 思科年度互联网报告(2018-2023)，2020年3月
使用130RFSOI集成wi - fi《和性能优化的PA
130年rfsoi平衡集成, area, 智能手机中集成无线网络 - FEM应用的性能和价值, 平板电脑和无线接入点. 它具有一个创新的EDNMOS器件，提供杰出的功率放大器(PA)性能, 辅以高功率处理(P马克斯)和低罗恩*柯夫和噪声数字性能，使强大, 开关和低噪声放大器(恢复)中的可靠信号. 芯片设计人员可以利用这种优势组合来整合开关, 恢复, 单片无线网络 - fem中的pa和逻辑优化了小的形状因素和长电池寿命, 同时降低了整个系统的材料成本.
差别化EDNMOS功率器件提供了必须拥有的低Rdson， BV高dss 和英国《金融时报》/ f马克斯 用于集成下一代无线网络 fem中的pa.
新型EDNMOS PA器件具有高线性传输性能，全铜互连和超厚铜层提高了功率处理能力，消费者可以享受更广泛的无线覆盖和强信号.
通过提供低泄漏, 高集成度和卓越的射频性能优势, 130RFSOI使设计师能够开发区域和功率优化的解决方案，为其他先进功能节省空间，并提高电池寿命, 同时控制系统成本.
130RFSOI是一种经过验证的硅材料, GF在新加坡的高容量300mm制造工厂内置了成熟的解决方案, 以准时交货和卓越的制造记录而闻名. 通过全方位的RF交钥匙服务和设计演示包，让您的产品更快地推向市场.
无线网络 - FEM交换机，恢复和PAs使用8SW和SiGe PA解决方案
GlobalFoundries的® (GF®8 sw RF SOI和SiGe PA解决方案(SiGe 5PAe, 1 kw5pae, 5PAx和1K5PAx)进行了优化，以帮助设计工程师满足未来无线网络前端模块(FEM)交换机的这些要求, 低噪声放大器(恢复)和功率放大器(PAs). 结合, 这些解决方案能够实现高性能, 功率和面积高效的双芯片无线网络 FEM设计，适用于高端到中端智能手机, 平板电脑, 笔记本电脑, 接入点和物联网设备.
8 . sw武器设计工程师具有高性价比, 为无线网络交换机和恢复提供低功耗和高灵活性的解决方案. 基于8sw的交换机提供优越的Ron*C从 插入损失(IL)和高P马克斯 以帮助延长无线网络信号覆盖和电池寿命, 而恢复建立在8SW上，旨在提供低噪声数字和高增益所需的不间断, 更深入的无线网络连接.
SiGe PA组合是8SW解决方案的补充, 使芯片设计师能够利用高P值来满足苛刻的下一代无线网络规格坐, 高PAE和异常误差矢量幅度(EVM)性能更广泛的无线网络覆盖, 更长的电池寿命和更强的无线网络连接.
8SW是业界第一个全合格的高容量RF - SOI 300毫米晶圆铸造解决方案.
广发公司全球SiGe PA芯片出货量已超过80亿片.
8西南一流Ron*C从, 全铜互连和高堆叠能力可以提高功率处理能力，有助于实现无线网络无缝连接, 提高电池效率. 它提供了高达50%更好的开关性能效率和50%更小的芯片面积, 同时降低耗电量达70%.†
Featuring 10% more gain and 7% lower noise figure combined with a >5x better figure of merit *, 使用8SW开发的恢复提供了可靠的, 强大的无线网络连接，增强移动宽带业务, 消费者和组织现在指望着.
在SiGe PA解决方案中，使用广泛的RF特性来平衡性能和价值. 该解决方案的特点是经过生产验证的透硅通孔(tsv)，因此设计师可以利用低成本的封装, 同时提供优秀的EVM和高市盈率坐 以及提高电池寿命、覆盖范围和信号强度的PAE.
† Compared to GF 7SW 解决方案; benefits will vary with design.
使用22至于®RF和22至于®RF集成无线网络 FEM soc
22至于®RF允许设计师利用数字缩放优势结合高功率处理, 高性能功率放大器(PAs)和交换机，以开发集成蓝牙和无线网络功能的单芯片无线网络 soc. 22至于®RF+基于十大老品牌网赌大全的22至于®RF解决方案，具有性能和功率优势以及无线网络特定功能.
22至于®RF+的设计提供更好的30%的Ron*C从 和插入损耗性能，使更强，更可靠的连接.*
22至于®RF和RF+构建在经过生产验证的22至于®平台和成熟的PDK上，因此客户可以相信硬件将按预期运行, 为大批量生产提供供应保证. 共享的IP生态系统简化了IP重用，并支持向后兼容.
设计工程师可以利用无线网络优化的射频开关和PA功能，以满足下一代无线网络功率处理和性能规范. 分化3.3v LDMOS器件可在22至于®RF和RF+已定制的集成PA应用在无线网络 soc.
22不会®RF射频+使设计师将多个无线连接功能集成到一个芯片包装和efficiencies-up成本节省25%的成本相比,一个二芯片的砷化镓/ RF SOI方案成果而使供应商能够利用其他consumer-pleasing节省空间的功能
*相对于22日都不会® RF.
†结果因芯片/系统设计而异.
集成无线网络 - FEM soc使用12LP射频
GlobalFoundries的® (GF®) 12LP射频解决方案, 基于成熟的12LP和14LPP GF FinFET解决方案, 具有卓越的数字性能, 功率和区域优势配对强大的RF值的优点, 这使得它成为集成了蓝牙和无线网络功能的单芯片soc的绝佳选择.
10% smaller bitcell area and >20% smaller logic area compared to 16 nm FinFET 解决方案.
建立在GF建立的14纳米 & 12纳米平台，其中GF已出货超过100万个晶圆.
12LP射频的高功率处理PA能力, 与低电压设备配对，提供显著的电力节省, 帮助设计师延长电池寿命，这样消费者就可以在担心充电问题之前享受更长时间的无线网络连接.
通过结合低LNA噪声数字和高LNA增益与高PAE PA性能, 12LP射频使设计者能够开发集成无线网络 - FEM芯片，为消费者提供更强的无线体验，在广阔的距离上提供强大的信号覆盖.
具有12 nm FinFET平台，广泛的数字集成, 高密度SRAM和先进的设计库, 12LP射频使设计师能够开发小尺寸的无线网络 SoC，占用更少的空间，或在相同的SoC占用中集成更多的功能，以提高材料利用率.